WEKO3
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ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明
http://hdl.handle.net/10076/00019523
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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2020RP0063 (2.7 MB)
|
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Item type | 報告書 / Research Paper(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2020-11-16 | |||||
タイトル | ||||||
言語 | ja | |||||
タイトル | ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明 | |||||
タイトル | ||||||
言語 | en | |||||
タイトル | Bond engineering in quantum dot formation mechanism | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 半導体量子ドット形成 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | ヘテロエピタキシャル成長 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | ぬれ層表面構造 | |||||
キーワード | ||||||
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主題 | ひずみ緩和 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 格子不整合転位 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 成長様式 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 計算科学 | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
資源タイプ | research report | |||||
著者 |
伊藤, 智徳
× 伊藤, 智徳× 秋山, 亨 |
|||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 本研究において,InAs/GaAs系における量子ドット形成においては,(001)に見られる界面転位形成エネルギーEdが大きいこと,(110)に見られる界面で他のひずみ緩和機構の導入によるγの減少が重要であることを見いだした。このEdの大小は表面再構成構造と密接に関連しており,(001)においては表面ダイマーによる表面ひずみ緩和の困難さが大きなEdをもたらす一方,(111)AにおけるIn空孔が表面ひずみの緩和に寄与した結果,Edを減少させることを明らかにした。これらの新知見は,さまざまな格子不整合系における成長様式を,微視的,巨視的観点から系統的に理解する上で有用である。 | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | In this study, it is clarified that misfit dislocation formation energy Ed is crucial for understanding quantum dot (QD) formation in InAs/GaAs system. The larger the Ed, the more favorable quantum dot formation such as InAs/GaAs(001). On the other hand, the QD formation on InAs/GaAs(110) results from the reducing surface energy γ due to strain reducing layer insertion. Moreover, it is found that the surface reconstruction strongly affects the Ed values. Surface As-dimers on InAs/GaAs(001) suppress the strain relaxation near the surface to increase Ed, while In-vacancy on InAs/GaAs(111)A effectively reduces the surface strain to lower the Ed realizing two-dimensional growth. These new findings can give physical insight and are feasible for understanding QD formation in various heteroepitaxial systems. | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 2016年度~2018年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書 | |||||
書誌情報 |
発行日 2019-05-10 |
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フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 三重大学 | |||||
出版者(ヨミ) | ||||||
ミエダイガク | ||||||
科研費番号 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 16K04962 | |||||
資源タイプ(三重大) | ||||||
Kaken / 科研費報告書 |