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計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計
伊藤 智徳
,
秋山 亨
,
正直 花奈子
,
河村 貴宏
,
寒川 義裕
,
平松 和政
(2021-06-22)
pdf
窒化物半導体におけるプラズモン誘導光透過現象と紫外発光デバイス光制御への応用
平松 和政
,
三宅 秀人
,
元垣内 敦司
(2018-05-19)
pdf
GaNの光学異方性を用いた金属ワイヤーグリッド伝搬型表面プラズモンセンサー
元垣内 敦司
,
平松 和政
(2017-05-17)
pdf
窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色LEDの開発
平松 和政
,
三宅 秀人
,
元垣内 敦司
(2012-05-17) , Creation of the modulated facet structures of III-nitride semiconductors and development of the white LEDs with wide and continuous wavelength spectra
pdf
高Al組成AlGANのエピタキシャル成長と欠陥制御技術
平松 和政
,
三宅 秀人
,
元垣内 敦司
,
宮川 鈴衣奈
,
馬 ベイ
,
劉 玉懐
,
黎 大兵
,
呉 潔君
,
胡 衛国
(2011-04-22) , Epitaxial growth and defect controlling technique of AlGaN with high AlN molar fraction
pdf
ナノフォトニクス構造により配光制御した照明用発光ダイオードに関する研究
平松 和政
,
三宅 秀人
,
元垣内 敦司
(2009-05-18) , Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
pdf
結晶成長は究極のものづくり : 新生日本結晶成長学会に期待する
平松 和政
日本結晶成長学会誌,33(2),81 (2006-06-30) , Crystal Growth is the Ultimate Technology : Expecting the New Japanese Association for Crystal Growth
pdf
新学会誌を発行するにあたって
平松 和政
日本結晶成長学会誌,31(1),2 (2004-04-30)
pdf
編集委員会と学会誌の30年間の変遷
平松 和政
,
元垣内 敦司
日本結晶成長学会誌,31(5),404-407 (2004-01-31)
pdf
ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(<特集>第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
碓井 彰
,
平松 和政
日本結晶成長学会誌,28(4),254-256 (2001-12-15) , Wide Band Gap Materials (1) Nitride(<Special Issue>ICCG-13/ICVGE-11)
pdf
GaNエピタキシャル基板の現状と問題点 : バルク成長シンポジウム
平松 和政
日本結晶成長学会誌,27(1),14 (2000-07-01) , Present States and Problems of the GaN Epitaxial Substrate
pdf
THM Growth of Ternary and Multinary Chalcopyrite Semiconductors
Miyake Hideto
,
Sugiyama Koichi
,
Hiramatsu Kazumasa
Research reports of the Faculty of Engineering, Mie University,24,31-44 (1999-12-27) , 三元および多元カルコパイライト型半導体のTHM成長
pdf
有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(<小特集>III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
桑野 範之
,
滝 海
,
沖 憲典
,
川口 靖利
,
平松 和政
,
澤木 宣彦
日本結晶成長学会誌,25(2),106-112 (1998-06-30) , Observation of Growth Process of InGaN Thick Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy : Formation of Compositional Inhomogenuity(<Special Issue>Crystal Growth of III-Group Nitride-Semiconductors)
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