We carried out excess energy calculations for bulk InGaN, InGaN/GaN and lnGaN/InN in order to investigate the contribution of lattice constraint from the bottom layer to the compositional instability of InGaN. In the epi-layers, asynmetric nature of the excess energy curves as a function of composition is emphasized compared with that for bulk The results suggest that incorporating the contribution of the lattice constraint is indipensable to predict the compositional instability for InGaN grown on substrates.
雑誌名
日本結晶成長学会誌
巻
27
号
1
ページ
152
発行年
2000-07-01
ISSN
0385-6275
書誌レコードID
AN00188386
権利
日本結晶成長学会
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
日本十進分類法
530
その他のタイトル
Contribution of Lattice Constraint to Compositional Instability of InGaN
InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
40G6569.pdf
(108.42KB)
