2026-03-09T11:51:45Z https://mie-u.repo.nii.ac.jp/oai

oai:mie-u.repo.nii.ac.jp:00015322 2023-11-22T00:12:22Z 515:756:1692664592836

平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製 Creation of singularity structure by top-down method based on thermal equiburium condition 三宅, 秀人 ミヤケ, ヒデト Miyake, Hideto 宮川, 鈴衣奈 ミヤガワ, レイナ Miyagawa, Reina 荒木, 努 アラキ, ツトム Araki, Tsutomu 窒化物半導体 高温アニール 窒化アルミニウム AlN AlGaN 深紫外LED application/pdf 特異構造の結晶成長，結晶制御を実験的視点と理論的視点から深化する科学と，その応用としてエレクトロニクス展開を目指している研究を行った。 2次元特異構造としての高品質なAlN膜をサファイア基板上で作製する技術は極めて重要であるが、サファイア基板上のAlN膜には高密度の貫通転位が存在する。スパッタ法AlNに高温アニールを用いることで、AlNの結晶性が大幅に改善できること見出し、そのメカニズムを明らかにした。また、スパッタ・アニールを行ったAlNテンプレートを用いて、深紫外LEDや高速電子移動度トランジスタの作製を行い、高品質AlNテンプレートの有用性を示した。 We conducted research aimed at developing electronic applications of science that deepens crystal growth and crystal control of singular structures. The technique of producing a high-quality AlN film as a two-dimensional singular structure on a sapphire substrate is extremely important, but the AlN film on the sapphire substrate has high-density penetrating dislocations. We found that the crystallinity of AlN can be significantly improved by using high-temperature annealing of sputtering-deposited AlN on a sapphie, and clarified the mechanism. In addition, deep-ultraviolet LEDs and high-speed electron mobility transistors were manufactured using sputtered and annealed AlN templates, demonstrating the usefulness of high-quality AlN templates. 2016年度～2020年度科学研究費補助金(新学術領域研究(研究領域提案型))研究成果報告書 16H06415 三重大学 2021-07-04 jpn research report VoR http://hdl.handle.net/10076/00020940 https://mie-u.repo.nii.ac.jp/records/15322 https://mie-u.repo.nii.ac.jp/record/15322/files/2022RP0083.pdf application/pdf 1.9 MB 2022-11-29