@techreport{oai:mie-u.repo.nii.ac.jp:00010076,
 author = {平松, 和政 and HIRAMATSU, Kazumasa and 三宅, 秀人 and MIYAKE, Hideto and 元垣内, 敦司 and MOTOGAITO, Atsushi},
 month = {May},
 note = {application/pdf, 本研究では、連続広帯域スペクトルを有する白色LEDを開発することにより、「波長ばらつきの問題」と「演色性の問題」を同時に解決し、照明に適したLEDの実現を目指すことを目的として、a面GaN上への選択成長とm面の平坦なGaN膜の作製を行った。成長温度と成長圧力を制御することで、ファセットを制御した選択成長を行うことができ、さらにこの知見を利用して、m面の平坦なGaN膜を得ることができた。これらの成果を活用すれば、連続広帯域スペクトルを有する白色LEDの開発が可能になる。, In this study, in order to solve the fluctuation of the light emitting wave length and color rendering properties, the selective area growth on a plane GaN and the fabrication of the flat m-plane GaN are carried out aiming at the development of the white LED with continuous and wide wavelength range. By controlling growth temperature and growth pressure, the facet controlled structures can be fabricated. Also by using this technique, the flat m-plane GaN can be obtained. From these results, The development of the white LED with continuous and wide wavelength range can be realized., 平成21~23年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書, 21360007},
 title = {窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色ＬＥＤの開発},
 year = {2012}
}