@techreport{oai:mie-u.repo.nii.ac.jp:00010077,
 author = {伊藤, 智徳 and ITO, Tomonori and 秋山, 亨 and AKIYAMA, Toru},
 month = {Mar},
 note = {application/pdf, 量子論的アプローチにより,半導体ナノ構造形成に重要な格子不整合薄膜表面を対象に,成長条件である温度,分子線圧力の関数としての表面状態図の理論予測を行うと共に,ナノ構造形成過程について検討した。具体的には,格子不整合系としてInAs/GaAs系を取り上げ, InAs(111)およびInAs(001)表面構造予測と行うと共に,成長条件下で安定な表面を対象にInならびにAsの吸着・脱離の振る舞いについて検討した。, Surface structures in lattice mismatch system such as InAs/GaAs are systematically investigated using our ab initio-based approach incorporating beam equivalent pressure and temperature. Adsorption-desorption behaviors of In and As are also clarified on the stable surfaces of InAs(111) and InAs(001) wetting layers under growth conditions. Using these results, elementary processes of nano-structure formation are discussed for stacking fault tetrahedron on InAs(111) and quantum dot on InAs(001) grown on GaAs substrate., 平成21~23年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書, 21560032},
 title = {格子不整合薄膜表面構造とナノ構造形成のボンドエンジニアリング},
 year = {2012}
}