{"created":"2023-06-19T11:43:20.457728+00:00","id":12846,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"88350e64-9477-423e-8a59-2dd2c8813634"},"_deposit":{"created_by":16,"id":"12846","owners":[16],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"12846"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:mie-u.repo.nii.ac.jp:00012846","sets":["366:640:660:1217"]},"author_link":[],"item_7_biblio_info_6":{"attribute_name":"書誌情報","attribute_value_mlt":[{"bibliographicIssueDates":{"bibliographicIssueDate":"2019-09-18","bibliographicIssueDateType":"Issued"}}]},"item_7_date_granted_59":{"attribute_name":"学位授与年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_dategranted":"2019-09-18"}]},"item_7_degree_grantor_57":{"attribute_name":"学位授与機関","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreegrantor":[{"subitem_degreegrantor_name":"三重大学"}],"subitem_degreegrantor_identifier":[{"subitem_degreegrantor_identifier_name":"14101","subitem_degreegrantor_identifier_scheme":"kakenhi"}]}]},"item_7_degree_name_56":{"attribute_name":"学位名","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreename":"博士(工学)"}]},"item_7_description_14":{"attribute_name":"フォーマット","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"application/pdf","subitem_description_type":"Other"}]},"item_7_description_4":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"本研究では、Ge-グラファイト混合ターゲットおよびSi-Ge混合ターゲットへの連続発振　(CW)レーザー照射による新規ナノ構造体の形成を試みた。高圧Arガス中でのGe-グラファイトターゲットへのCWレーザー照射により、結晶性Geがカーボンで被覆されたGe-Cコアシェルナノワイヤー(NW)の形成に成功した。Ge含有量Ge 95原子量%のSi-Ge混合ターゲットへのレーザー照射により、アモルファスSiOxナノチューブ(NT)の形成に成功した。二種類の一次元ナノ構造体の先端にはGe ナノ粒子が付着しており、形成メカニズムはGe NPを触媒とするVapor-liquid-solid機構によって説明できる。\n本研究で得られたナノ構造体は独自性に富む構造であり、高い価値を持つと考えられる。カーボンで被覆された結晶Geを内包するNWおよび、Si、O、Geから構成される先端に結晶性GeNPを持つSiOxNTは、リチウムイオン電池の負極材料をはじめとする新規機能性材料として価値がある。さらに、得られた生成メカニズムに関する知見を半導体プロセスに展開することで、これらのナノ構造体を三次元半導体構造のビルディングブロックとして応用することも期待できる。","subitem_description_language":"ja","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_7_description_5":{"attribute_name":"内容記述","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"本文/三重大学大学院工学研究科 材料科学専攻","subitem_description_type":"Other"},{"subitem_description":"84p","subitem_description_type":"Other"}]},"item_7_dissertation_number_60":{"attribute_name":"学位授与番号","attribute_value_mlt":[{"subitem_dissertationnumber":"乙工学第1044号"}]},"item_7_publisher_30":{"attribute_name":"出版者","attribute_value_mlt":[{"subitem_publisher":"三重大学"}]},"item_7_text_31":{"attribute_name":"出版者（ヨミ）","attribute_value_mlt":[{"subitem_text_value":"ミエダイガク"}]},"item_7_text_65":{"attribute_name":"資源タイプ（三重大）","attribute_value_mlt":[{"subitem_text_value":"Doctoral Dissertation / 博士論文"}]},"item_7_version_type_15":{"attribute_name":"著者版フラグ","attribute_value_mlt":[{"subitem_version_resource":"http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85","subitem_version_type":"VoR"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"open access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_abf2"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"秦野, 和也","creatorNameLang":"ja"},{"creatorName":"ハタノ, カズヤ","creatorNameLang":"ja-Kana"}]}]},"item_files":{"attribute_name":"ファイル情報","attribute_type":"file","attribute_value_mlt":[{"accessrole":"open_date","date":[{"dateType":"Available","dateValue":"2019-10-24"}],"displaytype":"detail","filename":"2019DE0908.pdf","filesize":[{"value":"8.2 MB"}],"format":"application/pdf","mimetype":"application/pdf","url":{"label":"2019DE0908.pdf","objectType":"fulltext","url":"https://mie-u.repo.nii.ac.jp/record/12846/files/2019DE0908.pdf"},"version_id":"1a8b34e3-c9f7-4a43-bf33-0a2f6028ab39"}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"doctoral thesis","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_db06"}]},"item_title":"レーザー蒸発法によるSi‐GeおよびGe‐C一次元ナノ構造体の形成と構造解析","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"レーザー蒸発法によるSi‐GeおよびGe‐C一次元ナノ構造体の形成と構造解析","subitem_title_language":"ja"},{"subitem_title":"Formation and Characterization of Si-Ge and Ge-C One-Dimensional Nanostructures by Laser Vaporization","subitem_title_language":"en"}]},"item_type_id":"7","owner":"16","path":["1217"],"pubdate":{"attribute_name":"PubDate","attribute_value":"2019-10-24"},"publish_date":"2019-10-24","publish_status":"0","recid":"12846","relation_version_is_last":true,"title":["レーザー蒸発法によるSi‐GeおよびGe‐C一次元ナノ構造体の形成と構造解析"],"weko_creator_id":"16","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-11-15T06:45:13.371538+00:00"}