@techreport{oai:mie-u.repo.nii.ac.jp:00013303,
 author = {河村, 貴宏 and Kawamura, Takahiro},
 month = {May},
 note = {application/pdf, 本研究では大型バルクGaN単結晶の開発に向け、Naフラックス法とOVPE法における結晶成長機構を明らかにすることを目的として、第一原理計算を用いた数値解析により、(1)Naフラックス成長におけるC添加による成長速度増加メカニズムの解明と(2)OVPE法における表面反応過程と結晶成長過程の解明、の2つの研究を行った。その結果、(1)ではC添加Naフラックス溶液中で安定に存在するCNイオンが結晶表面近傍ではC-N結合が分解しやすくなることを明らかにした。また(2)ではOVPE成長条件下における安定な結晶表面楮の解析を行い、結晶表面からのO不純物の脱離エネルギーの解析を行った。, For the development of large bulk GaN single crystal, we carried out numerical analysis using first-principles calculations aimed at clarifying the crystal growth mechanism in Na flux method and OVPE method. First we investigated the effect of C addition on increase in growth rate and found that the CN ions those stably existed in the C-added Na-Ga melts dissociate in the vicinity of GaN crystal surface. Next, we investigated the stable surface structures of the polar, non-polar, and semi-polar GaN surfaces and estimated desorption energies of oxygen impurities from the GaN crystal surfaces., 2015年度～2017年度科学研究費補助金(若手研究(B))研究成果報告書, 15K17459},
 title = {大型バルクGaN単結晶の開発に向けた結晶成長機構の解明},
 year = {2018},
 yomi = {カワムラ, タカヒロ}
}