WEKO3
アイテム
HVPE法によるScAlMgO₄基板上へのGaN単結晶成長と基板作製
http://hdl.handle.net/10076/0002001495
http://hdl.handle.net/10076/0002001495056e6e02-aafd-46d6-ab8a-ed8fad683b92
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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内容の要旨 (149 KB)
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審査結果の要旨 (43.2 KB)
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| アイテムタイプ | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2025-06-09 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | HVPE法によるScAlMgO₄基板上へのGaN単結晶成長と基板作製 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | GaN single crystal growth on ScAlMgO4 substrate by HVPE method and GaN substrate fabrication | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||||||
| 資源タイプ | thesis | |||||||||
| 著者 |
張, 海涛
× 張, 海涛
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| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 内容の要旨・審査結果の要旨 / 地域イノベーション学専攻 | |||||||||
| 書誌情報 |
発行日 2025-03-25 |
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| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 三重大学 | |||||||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||||||
| 値 | ミエダイガク | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 学位名 | 博士(学術) | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
| 学位授与機関識別子 | 14101 | |||||||||
| 学位授与機関名 | 三重大学 | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2025-03-25 | |||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲学術第2329号 | |||||||||
| 資源タイプ（三重大） | ||||||||||
| 値 | Doctoral Dissertation / 博士論文 | |||||||||
