WEKO3
アイテム
4H-SiC/SiO₂界面における界面反応機構に関する理論的研究
http://hdl.handle.net/10076/00019900
http://hdl.handle.net/10076/000199007bef001e-be79-4b76-b93f-2312640ae779
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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2020ME0199 (17.6 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-09-27 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 4H-SiC/SiO₂界面における界面反応機構に関する理論的研究 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||||||
| 資源タイプ | thesis | |||||||||
| 著者 |
清水, 紀志
× 清水, 紀志
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| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 三重大学大学院 工学研究科 博士前期課程 物理工学専攻 ナノサイエンス・ナノテクノロジー領域 | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 178ｐ | |||||||||
| 書誌情報 |
発行日 2021-03 |
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| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 三重大学 | |||||||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||||||
| 値 | ミエダイガク | |||||||||
| 修士論文指導教員 | ||||||||||
| 寄与者識別子Scheme | WEKO | |||||||||
| 寄与者識別子 | 46801 | |||||||||
| 姓名 | 秋山, 亨 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 資源タイプ（三重大） | ||||||||||
| 値 | Master's Thesis / 修士論文 | |||||||||
