WEKO3
アイテム
窒化物半導体ヘテロ接合における界面揺らぎの制御と量子光学デバイス応用
http://hdl.handle.net/10076/0002000255
http://hdl.handle.net/10076/0002000255793318c5-b3a6-45d1-be5d-e8b267cd2352
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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2023RP0077.pdf (1.1 MB)
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| Item type | 報告書 / Research Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-12-21 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 窒化物半導体ヘテロ接合における界面揺らぎの制御と量子光学デバイス応用 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Control of Interface Fluctuation in Nitride Semiconductor Heterostructure and its Application to Quantum Optical Devices | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 窒化物半導体 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 窒化アルミニウム | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 表面形態 | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||
| 著者 |
正直, 花奈子
× 正直, 花奈子
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 本研究では、量子光学応用を目的として、AlGaN気相成長において、原子層レベルの界面揺らぎの制御と、それが光学特性に与える影響を明らかにすることを目的として行った。まず、AlNテンプレートにおける表面平坦性を確保するために、低転位密度のスパッタアニールAlN上に有機金属気相成長（MOVPE）法を用いてAlNのホモエピタキシャル成長を行い原子層レベルで平坦なステップフロー成長による表面を実現した。その上に積層したAlGaN/AlGaN量子井戸を積層し、その発光特性を調べた。更にパターン加工AlN上への選択MOVPE成長により表面の原子層ステップ端密度を制御することができた。 | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | he purpose of this study was to control the interface fluctuations in AlGaN vapor phase growth for quantum optical applications and to clarify their effects on optical properties of AlGaN quantum wells (QWs). First, to achieve flat AlN templates with low threading dislocation, homo-epitaxial growth of AlN on face-to-face annealed sputtered AlN (FFA Sp-AlN) was performed using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). Then, we realized a atomically flat surface with step-and-terrace structure of MOVPE-grown AlN on FFA Sp-AlN. AlGaN/AlGaN QWs were grown on the MOVPE-grown AlN/FFA Sp-AlN and their luminescence properties were investigated. Furthermore, selective MOVPE growth on patterned AlN allowed us to control atomic-step-edge-density on the AlN surface. | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 2019年度～2021年度科学研究費補助金(若手研究)研究成果報告書 | |||||||||
| bibliographic_information |
発行日 2022-05-20 |
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| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 三重大学 | |||||||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||||||
| ミエダイガク | ||||||||||
| 科研費番号 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 19K15025 | |||||||||
| item_8_text_65 | ||||||||||
| Kaken / 科研費報告書 | ||||||||||
