WEKO3
アイテム
4H-SiC/SiO₂界⾯における原⼦構造および電⼦状態に関する理論的研究
http://hdl.handle.net/10076/0002000683
http://hdl.handle.net/10076/000200068373d1eb60-7ed7-473e-8fc2-ba294116bf64
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||
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公開日 | 2024-04-11 | |||||||
タイトル | ||||||||
タイトル | 4H-SiC/SiO₂界⾯における原⼦構造および電⼦状態に関する理論的研究 | |||||||
言語 | ja | |||||||
言語 | ||||||||
言語 | jpn | |||||||
資源タイプ | ||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||||
資源タイプ | thesis | |||||||
著者 |
松⽥, 隼
× 松⽥, 隼
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内容記述 | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | 三重⼤学⼤学院 ⼯学研究科 博⼠前期課程 物理⼯学専攻 ナノサイエンス・ナノテクノロジー領域 | |||||||
内容記述 | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | 43p | |||||||
書誌情報 |
発行日 2024-03 |
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フォーマット | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | application/pdf | |||||||
著者版フラグ | ||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
出版者 | ||||||||
出版者 | 三重大学 | |||||||
出版者(ヨミ) | ||||||||
ミエダイガク | ||||||||
修士論文指導教員 | ||||||||
姓名 | 秋山, 亨 | |||||||
言語 | ja | |||||||
資源タイプ(三重大) | ||||||||
Master's Thesis / 修士論文 |