Combining the two approaches of the phenomenological theory and the atomistic analysis, we clarified the characteristics of the hetero-epitaxial growth, focusing on the misfit dislocation generated at the semiconductor interfaces. We apply these theories to GaSb/GaAs(001) system. In the atomistic analysis we found a 5&7 membered ring structure at the dislocation core by using first-principles calculations.
雑誌名
日本結晶成長学会誌
巻
27
号
1
ページ
149
発行年
2000-07-01
ISSN
0385-6275
書誌レコードID
AN00188386
権利
日本結晶成長学会
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フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
日本十進分類法
540
その他のタイトル
Theoretical Study On the Epitaxial Growth and Misfit-Dislocations
半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
40G6571.pdf
(71.19KB)
