| Item type |
会議発表論文 / Conference Paper(1) |
| 公開日 |
2008-02-29 |
| タイトル |
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タイトル |
半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III |
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言語 |
ja |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 |
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資源タイプ |
conference paper |
| 著者 |
宮城島, 規
岡島, 康
武田, 京三郎
小山, 紀久
大野, 隆央
白石, 賢二
伊藤, 智徳
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Combining the two approaches of the phenomenological theory and the atomistic analysis, we clarified the characteristics of the hetero-epitaxial growth, focusing on the misfit dislocation generated at the semiconductor interfaces. We apply these theories to GaSb/GaAs(001) system. In the atomistic analysis we found a 5&7 membered ring structure at the dislocation core by using first-principles calculations. |
| 書誌情報 |
日本結晶成長学会誌
巻 27,
号 1,
p. 149,
発行日 2000-07-01
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
0385-6275 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00188386 |
| 権利 |
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権利情報 |
日本結晶成長学会 |
| 権利 |
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権利情報 |
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 日本十進分類法 |
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主題Scheme |
NDC |
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主題 |
540 |
| その他のタイトル |
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en |
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Theoretical Study On the Epitaxial Growth and Misfit-Dislocations |
| 出版者 |
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出版者 |
日本結晶成長学会 |
| 関係URI |
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関連名称 |
http://ci.nii.ac.jp/naid/110002715366/ |
| 資源タイプ（三重大） |
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Conference Paper / 会議発表論文 |
40G6571.pdf (71.2 kB)
