| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2008-02-29 |
| タイトル |
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タイトル |
半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(<特集>21世紀を拓く薄膜結晶成長) |
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言語 |
ja |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 著者 |
白石, 賢二
小山, 紀久
岡島, 康
武田, 京三郎
山口, 浩司
伊藤, 智徳
太田, 英二
大野, 隆央
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
We discuss the relation between microscopic mechanism and macroscopic growth behavior. First, we introduce a macroscopic theory of growth behavior in semiconductor heteroepitaxy that includes the effects of the formation of Stranski-Krastanov (SK) islands and the misfit-dislocations (MDs). This theory can reproduce the various types of growth behavior observed in heteroepitaxial growth. Next, we have formulated a procedure for determining the phenomenological parameters that includes atomistic calculations. The critical thickness of InAs/GaAs (110) obtained by this procedure is in good agreement with the experimentally obtained value. |
| 書誌情報 |
日本結晶成長学会誌
巻 27,
号 4,
p. 250-256,
発行日 2000-10-25
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
0385-6275 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00188386 |
| 権利 |
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権利情報 |
日本結晶成長学会 |
| 権利 |
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権利情報 |
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 日本十進分類法 |
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主題Scheme |
NDC |
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主題 |
540 |
| その他のタイトル |
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値 |
Theoretical Studies of Epitaxial Growth on Semiconductor Lattice-Mismatched Systems Relation between Macroscopic Growth Behavior and Microscopic Mechanism : Theory of Crystal Growth(<Special Issue>Frontiers of Thin Film Crystal Growth for the New Millennium) |
| 出版者 |
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出版者 |
日本結晶成長学会 |
| 関係URI |
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関連名称 |
http://ci.nii.ac.jp/naid/110002715437/ |
| 資源タイプ（三重大） |
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値 |
Journal Article / 学術雑誌論文 |
40A6572.pdf (605.1 kB)
