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  1. 40 大学院工学研究科・工学部
  2. 40G 会議発表論文
  3. 会議発表論文

InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム

http://hdl.handle.net/10076/8500
http://hdl.handle.net/10076/8500
ce952cb2-3782-4cc7-afd5-c73bbb81b2a1
名前 / ファイル ライセンス アクション
40G6574.pdf 40G6574.pdf (98.8 kB)
Item type 会議発表論文 / Conference Paper(1)
公開日 2008-03-03
タイトル
タイトル InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム
言語 ja
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
著者 寒川, 義裕

× 寒川, 義裕

ja 寒川, 義裕

en KANGAWA, Yoshihiro

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伊藤, 智徳

× 伊藤, 智徳

ja 伊藤, 智徳

en ITO, Tomonori

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熊谷, 義直

× 熊谷, 義直

ja 熊谷, 義直

en KUMAGAI, Yoshinao

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纐纈, 明伯

× 纐纈, 明伯

ja 纐纈, 明伯

en KOUKITU, Akinori

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Thermodynamic analyses were carried out to understand compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN in the MBE growth. In the thermodynamic analysis, contribution of lattice constraint from bottom layer was incorporated using enthalpy of mixing of InGaN/GaN and InGaN/InN, ΔH_m^<InGaN/GaN> and ΔH_m^<InGaN/InN>, which can be obtained by empirical interatomic potential calculations. The results suggest that compositional unstable region for InGaN/InN shifted toward Ga-rich side compared with that for InGaN/GaN. This implies that homogeneous InGaN thin films with large indium mole fraction is possible to form on InN substrate.
書誌情報 日本結晶成長学会誌

巻 29, 号 2, p. 84, 発行日 2002-07-01
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0385-6275
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00188386
権利
権利情報 日本結晶成長学会
権利
権利情報 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 450
その他のタイトル
en
Thermodynamic study for relation between solid composition and input ratio of InGaN on GaN and InN
出版者
出版者 日本結晶成長学会
関係URI
関連名称 http://ci.nii.ac.jp/naid/110002715611/
資源タイプ(三重大)
Conference Paper / 会議発表論文
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Ver.1 2023-06-19 17:09:58.795665
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