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アイテム
ボンドエンジニアリングによるⅣ族系混晶原子層物質のマテリアルデザイン
http://hdl.handle.net/10076/00020167
http://hdl.handle.net/10076/00020167abd29a93-0f83-46f7-88c8-ea63e7c340cb
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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2021RP0083 (573.8 kB)
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| Item type | 報告書 / Research Paper(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2022-01-24 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | ボンドエンジニアリングによるⅣ族系混晶原子層物質のマテリアルデザイン | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Material design of group-IV alloy monolayers using bond engineering concept | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | 原子層物質 | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | 第一原理計算 | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | 2層ハニカム構造 | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | トポロジカル絶縁体 | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | 混晶 | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | 混和性 | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | III-V族 | |||||||||||
| キーワード | ||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||
| 主題 | II-VI族 | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||||
| 著者 |
秋山, 亨
× 秋山, 亨
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| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | SiGe等の二元系混晶原子層膜およびCSiGeおよびSiGeSn等の三元系原子層物質において、これらの混晶における混和性は成長基板による格子拘束により大きく変化し、組成によっては混和性が改善することを見出した。これら原子層物質のバンド構造も計算し、組成に依存して直接遷移型の半導体あるいはグラフェンと同様のディラックコーンを持つゼロギャップ半導体になり得ることを明らかにした。さらに、III-V族およびII-VI族等の化合物半導体を対象とした検討も行い、特に窒化物半導体において膜厚が薄い場合ではバルク状態では準安定構造であるヘキサゴナル構造が安定となることを見出した。 | |||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | In this research project, we found that the miscibility of alloy monolayer thin films such as SiGe and ternary monolayer thin films such as CSiGe and SiGeSn is greatly changed by lattice constraint by the growth substrate. The miscibility is improved depending on the composition. The band structures of these monolayer thin films were also examined. They possess a direct bandgap or a zero gap semiconductor with Dirac cone like graphene depending on the composition. Furthermore, we investigated the structures of compound semiconductors such group III-V and group II-VI materials, and clarified that the hexagonal structure, which is one of metastable structure in bulk phase, becomes stable when the thickness of a nitride semiconductor is small. | |||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 2017年度～2019年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書 | |||||||||||
| 書誌情報 |
発行日 2020-05-15 |
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| フォーマット | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | 三重大学 | |||||||||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||||||||
| ミエダイガク | ||||||||||||
| 科研費番号 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 17K05056 | |||||||||||
| 資源タイプ（三重大） | ||||||||||||
| Kaken / 科研費報告書 | ||||||||||||
