WEKO3
アイテム
平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製
http://hdl.handle.net/10076/00020940
http://hdl.handle.net/10076/0002094032dd9a77-f868-48ad-9c30-055f859ddea5
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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2022RP0083 (1.9 MB)
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| Item type | 報告書 / Research Paper(1) | |||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2022-11-29 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Creation of singularity structure by top-down method based on thermal equiburium condition | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||
| 主題 | 窒化物半導体 | |||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||
| 主題 | 高温アニール | |||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||
| 主題 | 窒化アルミニウム | |||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||
| 主題 | AlN | |||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||
| 主題 | AlGaN | |||||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||
| 主題 | 深紫外LED | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
三宅, 秀人
× 三宅, 秀人
× 宮川, 鈴衣奈
× 荒木, 努
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 特異構造の結晶成長，結晶制御を実験的視点と理論的視点から深化する科学と，その応用としてエレクトロニクス展開を目指している研究を行った。 2次元特異構造としての高品質なAlN膜をサファイア基板上で作製する技術は極めて重要であるが、サファイア基板上のAlN膜には高密度の貫通転位が存在する。スパッタ法AlNに高温アニールを用いることで、AlNの結晶性が大幅に改善できること見出し、そのメカニズムを明らかにした。また、スパッタ・アニールを行ったAlNテンプレートを用いて、深紫外LEDや高速電子移動度トランジスタの作製を行い、高品質AlNテンプレートの有用性を示した。 |
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | We conducted research aimed at developing electronic applications of science that deepens crystal growth and crystal control of singular structures. The technique of producing a high-quality AlN film as a two-dimensional singular structure on a sapphire substrate is extremely important, but the AlN film on the sapphire substrate has high-density penetrating dislocations. We found that the crystallinity of AlN can be significantly improved by using high-temperature annealing of sputtering-deposited AlN on a sapphie, and clarified the mechanism. In addition, deep-ultraviolet LEDs and high-speed electron mobility transistors were manufactured using sputtered and annealed AlN templates, demonstrating the usefulness of high-quality AlN templates. | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 2016年度～2020年度科学研究費補助金(新学術領域研究(研究領域提案型))研究成果報告書 | |||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
発行日 2021-07-04 |
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| フォーマット | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 三重大学 | |||||||||||||||||||||||
| 出版者（ヨミ） | ||||||||||||||||||||||||
| ミエダイガク | ||||||||||||||||||||||||
| 科研費番号 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 16H06415 | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ（三重大） | ||||||||||||||||||||||||
| Kaken / 科研費報告書 | ||||||||||||||||||||||||
