ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 40 大学院工学研究科・工学部
  2. 40A 学術雑誌論文
  3. 学術雑誌論文

Variation in Preferred Orientations of TiN Thin Films Prepared by Ion Beam Assisted Deposition

http://hdl.handle.net/10076/8518
http://hdl.handle.net/10076/8518
38fa0718-2b29-4a27-b6ac-26172a5cb7a9
名前 / ファイル ライセンス アクション
40A6637.pdf 40A6637.pdf (580.3 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2008-03-05
タイトル
タイトル Variation in Preferred Orientations of TiN Thin Films Prepared by Ion Beam Assisted Deposition
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 Titanium nitride
キーワード
主題Scheme Other
主題 Preferred orientation
キーワード
主題Scheme Other
主題 Ion beam assisted deposition
キーワード
主題Scheme Other
主題 Transport ratio
キーワード
主題Scheme Other
主題 Incidence angle
キーワード
主題Scheme Other
主題 Thickness
キーワード
主題Scheme Other
主題 Temperature
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 MATSUMURO, Akihito

× MATSUMURO, Akihito

en MATSUMURO, Akihito

Search repository
HAYASHI, Toshiyuki

× HAYASHI, Toshiyuki

en HAYASHI, Toshiyuki

Search repository
MURAMATSU, Mutsuo

× MURAMATSU, Mutsuo

en MURAMATSU, Mutsuo

Search repository
TAKAHASHI, Yutaka

× TAKAHASHI, Yutaka

en TAKAHASHI, Yutaka

Search repository
KOHZAKI, Masao

× KOHZAKI, Masao

en KOHZAKI, Masao

Search repository
YAMAGUCHI, Katsumi

× YAMAGUCHI, Katsumi

en YAMAGUCHI, Katsumi

Search repository
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The effects of various experimental conditions on the preferred orientations of titanium nitride (TiN) thin films were investigated. These films were formed on Si (100) wafers and sapphire (0001) substrates by ion beam assisted deposition (IBAD) with various N/Ti transport ratios, N ion incidence angles, film thicknesses and substrate temperatures. The acceleration voltage of the incident ions was 1 kV. The preferred orientation of the TiN films changed from (111) to (100) as the N/Ti transport ratios and ion incidence angles increased. This phenomenon is caused by the selective damage to crystal growth due to the energy of the bombarding particles. It was also found that an increase in film thickness changed the preferred orientation of the TiN (100) film to a (100) plus (110) orientation. Furthermore, this orientation reverted to (100) with the heating of the substrate during film preparation. It is concluded that these phenomena were caused by the process of minimizing the overall energy. Thus, the heating of the substrate was useful for synthesizing thick TiN (100) films in this preparation method. Transmission electron microscopy (TEM) observation of TiN (100) films suggested that these films had good crystallinity.
書誌情報 Materials science research international

巻 7, 号 1, p. 1-6, 発行日 2001-03-15
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 1341-1683
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11046472
権利
権利情報 社団法人日本材料学会
権利
権利情報 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 570
出版者
出版者 Society of Materials Science
関係URI
関連名称 http://ci.nii.ac.jp/naid/110002283655/
資源タイプ(三重大)
値 Journal Article / 学術雑誌論文
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2023-06-19 17:33:54.191251
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3