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  1. 40 大学院工学研究科・工学部
  2. 40A 学術雑誌論文
  3. 学術雑誌論文

An ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior of Si adatoms on GaAs(1 1 1)A-(2 × 2) surfaces

http://hdl.handle.net/10076/11206
http://hdl.handle.net/10076/11206
43f65c03-2ba9-49c3-9c84-887ae7d64e90
名前 / ファイル ライセンス アクション
40A13346.pdf 40A13346.pdf (216.7 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2010-07-01
タイトル
タイトル An ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior of Si adatoms on GaAs(1 1 1)A-(2 × 2) surfaces
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 GaAs(1 1 1)A
キーワード
主題Scheme Other
主題 Si doping
キーワード
主題Scheme Other
主題 As adatom
キーワード
主題Scheme Other
主題 Self-surfactant effect
キーワード
主題Scheme Other
主題 Electron counting
キーワード
主題Scheme Other
主題 Surface phase diagram
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Tatematsu, Hiroaki

× Tatematsu, Hiroaki

en Tatematsu, Hiroaki

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Akiyama, Toru

× Akiyama, Toru

en Akiyama, Toru

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Nakamura, Kohji

× Nakamura, Kohji

en Nakamura, Kohji

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Ito, Tomonori

× Ito, Tomonori

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The adsorption–desorption behavior of Si adatoms on GaAs(1 1 1)A–(2 × 2) surfaces is investigated using our ab initio-based approach, in which adsorption and desorption behavior of Si adatoms is described by comparing the calculated desorption energy obtained by total-energy electronic-structure calculations with the chemical potential estimated by quantum statistical mechanics. We find that the Si adsorption at the Ga-vacancy site on the (2 × 2) surfaces with As adatoms occurs less than 1140–1590 K while the adsorption without As adatom does less than 630–900 K. The change in adsorption temperature of Si adatoms by As adatoms is due to self-surfactant effects of As adatoms: the promotion of the Si adsorption triggered by As adatoms is found to be interpreted in terms of the band-energy stabilization. Furthermore, the stable temperature range for Si adsorbed surfaces with As adatoms agrees with the experimental results. The obtained results provide a firm theoretical framework to clarify n-type doping processes during GaAs epitaxial growth.
書誌情報 Applied surface science : a journal devoted to the properties of interfaces in relation to the synthesis and behaviour of materials

巻 256, 号 4, p. 1164-1167, 発行日 2009-11-30
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0169-4332
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA10503400
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1016/j.apsusc.2009.01.101
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
出版者
出版者 North-Holland
関係URI
関連名称 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.01.101
ノート
値 出版者版電子ジャーナルあり
資源タイプ(三重大)
値 Journal Article / 学術雑誌論文
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Ver.1 2023-06-19 13:43:57.069195
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