Structural stability of nitride semiconductors is investigated using an empirical interatomic potential applicable to subtle energy difference between zinc blende and wurtzite structures. The calculated results imply that wurtzite structre is more stable than zinc blende structure by 4.5 (meV/atom) and 7.8 (meV/atom) for GaN and InN, respectively. These results agree well with those obtained by ab initio calculations.
雑誌名
日本結晶成長学会誌
巻
27
号
1
ページ
150
発行年
2000-07-01
ISSN
0385-6275
書誌レコードID
AN00188386
権利
日本結晶成長学会
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
フォーマット
application/pdf
著者版フラグ
publisher
日本十進分類法
540
その他のタイトル
An interatomic potential for nitride semiconductors : application to structural stability
ナイトライド半導体の構造安定性への原子間ポテンシャルの適用 : 成長界面III
40G6570.pdf
(79.88KB)
