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  1. 40 大学院工学研究科・工学部
  2. 40A 学術雑誌論文
  3. 学術雑誌論文

GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(<小特集>結晶成長理論の最近の動向)

http://hdl.handle.net/10076/8499
http://hdl.handle.net/10076/8499
38bfe254-225d-4847-a541-95c49aadd393
名前 / ファイル ライセンス アクション
40A6573.pdf 40A6573.pdf (697.3 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2008-03-03
タイトル
タイトル GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(<小特集>結晶成長理論の最近の動向)
言語 ja
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 寒川, 義裕

× 寒川, 義裕

ja 寒川, 義裕

en Kangawa, Yoshihiro

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伊藤, 智徳

× 伊藤, 智徳

ja 伊藤, 智徳

en Ito, Tomonori

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田口, 明仁

× 田口, 明仁

ja 田口, 明仁

en Taguchi, Akihito

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白石, 賢二

× 白石, 賢二

ja 白石, 賢二

en Shiraish, Kenji

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平岡, 佳子

× 平岡, 佳子

ja 平岡, 佳子

en Hiraoka, Yoshiko S

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入澤, 寿美

× 入澤, 寿美

ja 入澤, 寿美

en Irisawa, Toshiharu

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大鉢, 忠

× 大鉢, 忠

ja 大鉢, 忠

en Ohachi, Tadashi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 A newly developed ab initio-based approach was applied for understanding adsorption-desorption behavior during molecular beam epitaxial growth of GaAs. The ab initiobased approach incorporates free energy of vapor phase; therefore we can calculate how adsorption and desorption depend on growth temperature and beam equivalent pressure (BEP). Versatility of the theoretical approach was confirmed by the calculation of Ga adsorption-desorption transition temperatures and transition BEPs on Ga-rich GaAs (001)-(4×2)β2 surface. Furthermore, in order to check the feasibility of the theoretical approach for prediction of adsorption-desorption behavior of As_2 molecules, the conditions where GaAs(001)-c (4×4) reconstructed structure is stable were investigated by the calculations of stability of As-dimers on the top surface under the various temperatures and BEPs. We also applied the theoretical approach to Ga diffusion length while staying on the GaAs (001)- (2×4)β2 and - (2×4)β1 surfaces and As pressure dependence of GaAs growth rate.
書誌情報 日本結晶成長学会誌

巻 29, 号 1, p. 57-64, 発行日 2002-04-10
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0385-6275
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00188386
権利
権利情報 日本結晶成長学会
権利
権利情報 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 450
その他のタイトル
値 Ab initio-based Approach to Adsorption-Desorption Behavior during GaAs Epitaxial Growth (<Special Issue>Recent Trend of Crystal Growth Theory)
出版者
出版者 日本結晶成長学会
関係URI
関連名称 http://ci.nii.ac.jp/naid/110002715523/
資源タイプ(三重大)
値 Journal Article / 学術雑誌論文
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Ver.1 2023-06-19 17:34:09.017905
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