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アイテム
Development of Biased Directional Sputtering(BDS) for Semiconductor Devices
http://hdl.handle.net/10076/4082
http://hdl.handle.net/10076/4082ecebb125-bcde-45c7-b98a-794160927990
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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AA008163410250004.PDF (1.5 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2007-07-02 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Development of Biased Directional Sputtering(BDS) for Semiconductor Devices | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | High directionality | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Ionized sputtering | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Biased directional sputtering | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | RF magnetron plasma | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Substrate bias | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||
| 著者 |
佐藤, 英樹
× 佐藤, 英樹
× 水野, 茂
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | This paper reports the Biased Directional Sputtering (BDS), which is a high directional sputtering technique using RF magnetron plasma and a substrate bias, for formation of barrier metals (Ti, TiN, Ta and TaN) for semiconductor devices. The RF magnetron plasma, which is denser than conventional DC magnetron plasma, ionizes sputtered metal atoms efficiently, and the substrate bias accelerates the ionized metal atoms perpendicularly to the substrate surface. Experimental results show that the plasma density of the BDS is higher than that of the conventional DC magnetron plasma. The ionization rate of the sputtered metal atoms reaches more than 90% at 13Pa. Consequently, excellent step coverage is obtained for high aspect ratio (AR) holes by the BDS deposition. | |||||||||||||
| 書誌情報 |
Research reports of the Faculty of Engineering, Mie University 巻 25, p. 17-26, 発行日 2000-12-27 |
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| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 0385-6208 | |||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00816341 | |||||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||
| その他のタイトル | ||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 値 | 半導体デバイス用バイアス方向性スパッタリングの開発 | |||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | Faculty of Engineering, Mie University | |||||||||||||
| 資源タイプ（三重大） | ||||||||||||||
| 値 | Departmental Bulletin Paper / 紀要論文 | |||||||||||||
