| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2008-03-03 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響(<小特集>ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考) |
|
言語 |
ja |
| 言語 |
|
|
言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
journal article |
| 著者 |
寒川, 義裕
伊藤, 智徳
熊谷, 義直
纐纈, 明伯
|
| 抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
Thermodynamic analyses were performed to understand the influence of lattice constraint from InN and GaN substrates on the relationship between input mole ratio R_<In> (=P_<In>^0/ (P_<In>^0 + P_<Ga>^0), where P^0_i is the input partial pressure of element i) and solid composition x in In_xGa_<1-x>N during molecular beam epitaxy (MBE) and metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). For the both growth methods, the calculation results suggest that a compositionally unstable region is found at the InN-rich region for InGaN on GaN at higher temperatures while that for InGaN on InN can be seen at GaN-rich region due to the lattice constraint from the substrate. In case of the MOVPE, it is found that growth region of InGaN in the diagram related to V/III ratio and solid composition shrinks with increase of V/III ratio (increase of input partial pressure of NH_3). This is because the H_2 partial pressure produced by the decomposition of NH_3 increase at high V/III ratio (at high input partial pressure of NH_3). |
| 書誌情報 |
日本結晶成長学会誌
巻 30,
号 2,
p. 104-110,
発行日 2003-06-25
|
| ISSN |
|
|
収録物識別子タイプ |
PISSN |
|
収録物識別子 |
0385-6275 |
| 書誌レコードID |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AN00188386 |
| 権利 |
|
|
権利情報 |
日本結晶成長学会 |
| 権利 |
|
|
権利情報 |
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである |
| フォーマット |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
|
|
出版タイプ |
VoR |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 日本十進分類法 |
|
|
主題Scheme |
NDC |
|
主題 |
540 |
| その他のタイトル |
|
|
値 |
Influence of Lattice Constraint from Substrate on Relationship between Input Mole Ratio and Solid Composition of InGaN during MBE and MOVPE(<Special issue>The Role of the Substrate in Determining the Properties of Epitaxial Group III Nitrides) |
| 出版者 |
|
|
出版者 |
日本結晶成長学会 |
| 関係URI |
|
|
|
関連名称 |
http://ci.nii.ac.jp/naid/110002715831/ |
| 資源タイプ（三重大） |
|
|
値 |
Journal Article / 学術雑誌論文 |
40A6575.pdf (643.6 kB)
